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型号 IPD800N06N G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
IPD800N06N G PDF
代理商 IPD800N06N G
产品目录绘图 Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 16A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 80 毫欧 @ 16A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 16µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 370pF @ 30V
功率 - 最大 47W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 剪切带 (CT)
其它名称 IPD800N06NGINCT
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